Intel đã trình bày chi tiết về nút quy trình 18A thế hệ tiếp theo của mình, sẽ thay thế cho nút Intel 3, cung cấp khả năng mở rộng xung nhịp và điện áp được cải thiện.
Bắt đầu với công nghệ RibbonFET 18A, Intel sẽ có bước tiến đáng kể từ công nghệ FinFET, cung cấp những cải tiến về tĩnh điện cổng, chiều rộng hiệu quả hơn trên mỗi diện tích so với FinFET, điện dung ký sinh ít hơn trên mỗi diện tích so với FinFET và cung cấp tính linh hoạt được cải thiện so với FinFET.
Intel cũng cải thiện tính linh hoạt trong thiết kế của RibbonFET so với FinFET bằng cách giới thiệu nhiều chiều rộng ruy băng cho cả thư viện 180H và 160H, tối ưu hóa công suất logic/rò rỉ so với hiệu suất thông qua DTCO và Chiều rộng ruy băng chuyên dụng cho SRAM được tối ưu hóa cho hiệu suất bitcell, tất cả đều nâng cao hiệu suất và khả năng thiết kế của chip thế hệ tiếp theo được chế tạo trên nút 18A.
18A của Intel Công nghệ PowerVia cũng sẽ giúp cải thiện khả năng cung cấp điện của bóng bán dẫn thế hệ tiếp theo với dây tín hiệu nguồn ở mặt sau so với dây tín hiệu nguồn ở mặt trước. Các dây mới này được tách rời và tối ưu hóa riêng biệt, cho phép:
Với những cải tiến này, Intel 18A cung cấp hiệu suất iso-power cao hơn 15% so với Intel 3. Ở cùng mức điện áp 1,1V, Intel 18A cung cấp tần số cao hơn khoảng 25% và cũng hỗ trợ các hoạt động điện áp thấp dưới 0,65V, khi đó bạn có thể tiết kiệm tới 38% điện năng ở cùng mức xung nhịp. Intel tuyên bố rằng nhiều yếu tố của 18A giúp cải thiện hiệu suất, chẳng hạn như:
2 trong số 9
Về khả năng mở rộng mật độ, Intel 18A cung cấp khả năng cải thiện mật độ lên đến 39% (~30%) so với Intel 3 với công nghệ nguồn điện mặt sau cho phép Cải thiện 8-10% khả năng sử dụng cell, giúp cắt giảm độ sụt IR trong trường hợp xấu nhất xuống 10 lần. Intel 18A cũng hỗ trợ HP Library Height là 180nm so với 240nm (Intel 3), HD Library Height là 160nm so với 210nm (Intel 3) và khoảng cách M0/M2 là 32/32 so với 30/42 (Intel 3).
2 trong số 9
Cuối cùng, xét về khả năng mở rộng SRAM, Intel 18A đạt được cải thiện mật độ HCC SCRAM là 30% so với Intel 3, cung cấp HCC 0,0230um2 và HDC 0,0210um2 SRAM. Đối với 18A, công ty không chỉ dừng lại ở đó vì công ty có các phiên bản bổ sung của nút này sẽ ra mắt trong khoảng thời gian từ năm 2026-2028. Họ sản phẩm này bao gồm 18A-P và 18A-PT, vừa được tiết lộ tại Direct Connect 2025. Intel cũng mong đợi khách hàng tận dụng các nút này để sản xuất chip.
Nút quy trình 18A của Intel cung cấp hiệu suất, hiệu quả và cải thiện Mật độ so với nút Intel 3
Tại Hội nghị chuyên đề năm 2025 về Công nghệ và Mạch VLSI, Intel đã nêu bật thêm các tính năng của nút quy trình 18A thế hệ tiếp theo, sẽ được trang bị trên các dòng sản phẩm sắp ra mắt như CPU "Panther Lake" hướng đến máy khách và các sản phẩm Xeon chỉ dành cho máy chủ Clearwater Forest E-Core.Có vẻ như những điểm nổi bật chính của các nút 18A của Intel sẽ là RibbonFET (GAA) & PowerVia, cho phép chuyển đổi sang công nghệ quy trình lặp lại tiếp theo.
Bắt đầu với công nghệ RibbonFET 18A, Intel sẽ có bước tiến đáng kể từ công nghệ FinFET, cung cấp những cải tiến về tĩnh điện cổng, chiều rộng hiệu quả hơn trên mỗi diện tích so với FinFET, điện dung ký sinh ít hơn trên mỗi diện tích so với FinFET và cung cấp tính linh hoạt được cải thiện so với FinFET.
Intel cũng cải thiện tính linh hoạt trong thiết kế của RibbonFET so với FinFET bằng cách giới thiệu nhiều chiều rộng ruy băng cho cả thư viện 180H và 160H, tối ưu hóa công suất logic/rò rỉ so với hiệu suất thông qua DTCO và Chiều rộng ruy băng chuyên dụng cho SRAM được tối ưu hóa cho hiệu suất bitcell, tất cả đều nâng cao hiệu suất và khả năng thiết kế của chip thế hệ tiếp theo được chế tạo trên nút 18A.
18A của Intel Công nghệ PowerVia cũng sẽ giúp cải thiện khả năng cung cấp điện của bóng bán dẫn thế hệ tiếp theo với dây tín hiệu nguồn ở mặt sau so với dây tín hiệu nguồn ở mặt trước. Các dây mới này được tách rời và tối ưu hóa riêng biệt, cho phép:
- Mật độ logic được cải thiện
- Tận dụng cell chuẩn tốt hơn
- Tín hiệu RC thấp hơn
- Giảm sụt áp
- Linh hoạt hơn trong thiết kế
Với những cải tiến này, Intel 18A cung cấp hiệu suất iso-power cao hơn 15% so với Intel 3. Ở cùng mức điện áp 1,1V, Intel 18A cung cấp tần số cao hơn khoảng 25% và cũng hỗ trợ các hoạt động điện áp thấp dưới 0,65V, khi đó bạn có thể tiết kiệm tới 38% điện năng ở cùng mức xung nhịp. Intel tuyên bố rằng nhiều yếu tố của 18A giúp cải thiện hiệu suất, chẳng hạn như:
- Transistor RibbonFET
- Lợi thế về công suất mặt sau
- Cải thiện kết nối mặt trước
- Tối ưu hóa đồng thời quy trình/thiết kế
2 trong số 9
Về khả năng mở rộng mật độ, Intel 18A cung cấp khả năng cải thiện mật độ lên đến 39% (~30%) so với Intel 3 với công nghệ nguồn điện mặt sau cho phép Cải thiện 8-10% khả năng sử dụng cell, giúp cắt giảm độ sụt IR trong trường hợp xấu nhất xuống 10 lần. Intel 18A cũng hỗ trợ HP Library Height là 180nm so với 240nm (Intel 3), HD Library Height là 160nm so với 210nm (Intel 3) và khoảng cách M0/M2 là 32/32 so với 30/42 (Intel 3).
2 trong số 9
Cuối cùng, xét về khả năng mở rộng SRAM, Intel 18A đạt được cải thiện mật độ HCC SCRAM là 30% so với Intel 3, cung cấp HCC 0,0230um2 và HDC 0,0210um2 SRAM. Đối với 18A, công ty không chỉ dừng lại ở đó vì công ty có các phiên bản bổ sung của nút này sẽ ra mắt trong khoảng thời gian từ năm 2026-2028. Họ sản phẩm này bao gồm 18A-P và 18A-PT, vừa được tiết lộ tại Direct Connect 2025. Intel cũng mong đợi khách hàng tận dụng các nút này để sản xuất chip.
