Tin đồn về việc ra mắt Samsung Galaxy S25 đang đến gần, nhưng vẫn còn rất nhiều tin đồn xuất hiện trực tuyến. Thông tin mới nhất xuất hiện là một bài kiểm tra điểm chuẩn bị rò rỉ khác, dường như cho thấy hiệu suất của Galaxy S25 tiêu chuẩn — và có thể là tin tốt hơn chúng ta nghĩ ban đầu.
Vào tháng 11, một loạt điểm chuẩn bị rò rỉ trước đó đã làm giảm kỳ vọng của chúng tôi với một số kết quả khá đáng thất vọng. Điểm lõi đơn là 2481 và điểm chuẩn đa lõi là 8658 — cả hai đều khá xa so với điểm số ấn tượng hơn nhiều từ các bài kiểm tra Galaxy S25 Ultra bị rò rỉ. Rất may là thông tin rò rỉ mới nhất từ Tarun Vats đã vẽ nên một bức tranh tích cực hơn.
Để tham khảo, Galaxy S24 Ultra đạt 2.300 điểm trong bài kiểm tra lõi đơn và 7.249 điểm trong bài kiểm tra đa lõi. Điều đó có nghĩa là Galaxy S25, nếu những con số này là chính xác, có thể hoạt động tốt hơn đáng kể so với mẫu Ultra của năm ngoái. Trong khi đó, iPhone 16 đạt 3.301 điểm trong bài kiểm tra điểm chuẩn lõi đơn và 8.033 điểm trong bài kiểm tra đa lõi. Như đã xảy ra trong vài năm qua, điều này có nghĩa là hiệu suất lõi riêng lẻ của Apple vượt trội hơn Galaxy, nhưng đa lõi vẫn tụt hậu.
Samsung Galaxy S25 dự kiến sẽ được ra mắt tại sự kiện Galaxy Unpacked vào ngày 22 tháng 1, nơi Samsung sẽ tiết lộ mọi thông tin cần biết về điện thoại. Trong khi chờ đợi, bạn có thể cập nhật tất cả tin tức và tin đồn mới nhất trong các trung tâm Samsung Galaxy S25 và Samsung Galaxy S25 Ultra của chúng tôi
Vào tháng 11, một loạt điểm chuẩn bị rò rỉ trước đó đã làm giảm kỳ vọng của chúng tôi với một số kết quả khá đáng thất vọng. Điểm lõi đơn là 2481 và điểm chuẩn đa lõi là 8658 — cả hai đều khá xa so với điểm số ấn tượng hơn nhiều từ các bài kiểm tra Galaxy S25 Ultra bị rò rỉ. Rất may là thông tin rò rỉ mới nhất từ Tarun Vats đã vẽ nên một bức tranh tích cực hơn.
Bài kiểm tra này cho thấy điểm đơn lõi là 2986 và kết quả đa lõi là 9355, đây là một cải thiện đáng kể so với kết quả chúng ta thấy vào tháng 11. Đây cũng là một điều tốt, vì kết quả đánh giá chuẩn mới nhất của Galaxy S25 Ultra bị rò rỉ có phần đáng thất vọng. Hoặc ít nhất là chúng được so sánh với kết quả đáng kinh ngạc mà chúng ta đã thấy vào đầu tháng 11 — với điểm số Geekbench 6 đa lõi là 10.236.Tin nóngGalaxy S25 (SM-S931B) vừa xuất hiện trên Geekbench!
Được trang bị bộ xử lý Snapdragon 8 Elite với RAM 12GB! Lõi đơn: 2986 Lõi đa: 9355 Snapdragon 8 Elite đã chính thức được xác nhận dành cho mẫu Vanilla tại các thị trường quốc tế (Ấn Độ, Châu Âu và nhiều nơi khác)!
pic.twitter.com/9ySZFnKxRtNgày 31 tháng 12 năm 2024
Để tham khảo, Galaxy S24 Ultra đạt 2.300 điểm trong bài kiểm tra lõi đơn và 7.249 điểm trong bài kiểm tra đa lõi. Điều đó có nghĩa là Galaxy S25, nếu những con số này là chính xác, có thể hoạt động tốt hơn đáng kể so với mẫu Ultra của năm ngoái. Trong khi đó, iPhone 16 đạt 3.301 điểm trong bài kiểm tra điểm chuẩn lõi đơn và 8.033 điểm trong bài kiểm tra đa lõi. Như đã xảy ra trong vài năm qua, điều này có nghĩa là hiệu suất lõi riêng lẻ của Apple vượt trội hơn Galaxy, nhưng đa lõi vẫn tụt hậu.
Những số liệu đánh giá chuẩn này có vẻ hơi không nhất quán, điều này đáng lo ngại. Tuy nhiên, điều này có thể được giải thích bởi thực tế là chúng ta vẫn đang trong giai đoạn trước khi phát hành, vì vậy chúng ta sẽ không biết Galaxy S25 hoạt động như thế nào trong các bài kiểm tra đánh giá chuẩn cho đến khi nó được phát hành — được đồn đoán là ngày 7 tháng 2. Ít nhất thì các bài kiểm tra cũng đồng ý rằng điện thoại đang chạy trên Snapdragon 8 Elite, chứ không phải một loại chipset Exynos nào đó.
Samsung Galaxy S25 dự kiến sẽ được ra mắt tại sự kiện Galaxy Unpacked vào ngày 22 tháng 1, nơi Samsung sẽ tiết lộ mọi thông tin cần biết về điện thoại. Trong khi chờ đợi, bạn có thể cập nhật tất cả tin tức và tin đồn mới nhất trong các trung tâm Samsung Galaxy S25 và Samsung Galaxy S25 Ultra của chúng tôi
- Samsung Galaxy S25 có thể đi kèm với phần quà AI tuyệt vời này với giá hàng triệu đô la
- Tên gọi iPhone 16E được đồn đoán của iPhone SE 4 là một dấu hiệu đầy hứa hẹn — đây là lý do tại sao
- Sạc không dây Qi2 là gì? Mọi thứ bạn cần biết
